Каталог DIN — национальные стандарты Германии
найдено документов: 84545 страниц: 4228
DIN 50432-1980
Кремний и германий.Определение типа проводимости образцов методом термодетектора или испытанием выпрямлениемTesting of semi-conducting inorganic materials; determination of the conductivity type of silicon or germanium by means of rectification test or hot-probe
Количество страниц: 3 Статус:
DIN 50434-1986
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение дефектов монокристаллов кремния при помощи техники травления на поверхности (111) и (100)Testing of materials for semiconductor technology; detection of crystal defects in monocrystalline silicon using etching techniques on {111} and {100} surfaces
Количество страниц: 9 Статус:
DIN 50435-1988
Кремний и германий. Определение радиального изменения удельного электрического сопротивления кремниевых и германиевых дисков методом постоянного тока и четырех зондовTesting of semiconductor materials; determination of the radial resistivity variation of silicon or germanium slices by means of the four-probe/direct current method
Количество страниц: 3 Статус:
DIN 50437-1979
Материалы полупроводниковые неорганические. Определение толщины эпитаксиального слоя кремния методом инфракрасной интерферометрииTesting of semi-conductive inorganic materials; measuring the thickness of silicon epitaxial layer thickness by infrared interference method
Количество страниц: 6 Статус:
DIN 50438-1-1995
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей в кремнии методом инфракрасной абсорбции. Часть 1. КислородTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurity content in silicon by infrared absorption - Part 1: Oxygen
Количество страниц: 10 Статус:
DIN 50438-3-1984
Кремний для полупроводниковых приборов. Определение содержания загрязняющего бора и фосфора методом инфракрасной абсорбцииTesting of materials for use in semiconductor technology; determination of interstitial atomic boron and phosphorus content of silicon by infrared absorption spectroscopy
Количество страниц: 4 Статус:
DIN 50438-3-2000
Кремний для полупроводниковых приборов. Определение содержания загрязняющего бора и фосфора методом инфракрасной асборбцииTesting of materials for use in semiconductor technology - Determination of impurity content silicon by infrared absorption - Part 3: Boron and phosphorus
Количество страниц: 11 Статус:
DIN 50439-1982
Материалы полупроводниковые на основе кремния или арсения-галия. Определение профиля концентраций примесей методом напряжения на емкости и ртутного контактаTesting of materials for semiconductor technology; determination of the dopant concentration profile of single crystalline semiconductor material by means of the capacitancevoltage method and mercury contact
Количество страниц: 6 Статус:
DIN 50440-1998
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение рекомбинационной долговечности носителей заряда в монокристаллах кремния при незначительной инжекции методом фотопроводимостиTesting of materials for semiconductor technology - Measurement of carrier lifetime in silicon single crystals - Recombination carrier lifetime at low injection by photoconductivity method
Количество страниц: 8 Статус:
DIN 50440-1-1981
Кремний для полупроводниковых приборов. Определение рекомбинационной долговечности носителей заряда в прямоугольном образце монокристалла методом фотопроводимостиTesting of materials for semiconductor technology; measurement of recombination carrier lifetime in silicon single crystals by means of photo conductive decay method; measurement on bar-shaped specimens
Количество страниц: 5 Статус:
найдено документов: 84545 страниц: 4228