Каталог DIN — национальные стандарты Германии
найдено документов: 84545 страниц: 4228
DIN 50441-1-1996
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров. Часть 1. Толщина и ее изменениеTesting of materials for semiconductor technology - Determination of the geometric dimensions of semiconductor wafers - Part 1: Thickness and thickness variation
Количество страниц: 4 Статус:
DIN 50441-2-1998
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров. Часть 2. Определение закругления кромкиTesting of materials for semiconductor technology - Determination of the geometric dimensions of semiconductor wafers - Part 2: Testing of edge profile
Количество страниц: 5 Статус:
DIN 50441-3-1985
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров. Определение отклонения от плоскостности полированных пластин методом многолучевой интерференцииTesting of materials for semiconductor technology; measurement of the geometric dimensions of semiconductor slices; determination of flatness deviation of polished slices by means of the multiple beam interference
Количество страниц: 5 Статус:
DIN 50441-4-1999
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров. Часть 4. Определение диаметра, отклонений диаметра, диаметра, длины и высоты плоского срезаTesting of materials for semiconductor technology - Determination of the geometric dimensions of semiconductor wafers - Part 4: Slice diameter, diamter variation, flat diameter, flat length, flat depth
Количество страниц: 8 Статус:
DIN 50441-5-2001
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров.Часть 5. Термины, касающиеся отклонения от формы и плоскостностиTesting of materials for semiconductor technology - Determination of the geometric dimensions of semiconductor wafers - Part 5: Terms of shape and flatness deviation
Количество страниц: 11 Статус:
DIN 50442-1-1981
Пластины полупроводниковые монокристаллические, распиленные и подвергнутые доводке. Определение структуры поверхностиTesting of semi-conductive inorganic materials; determination of the surface structure of circular monocrystalline semi-conductive slices; as-cut and lapped slices
Количество страниц: 3 Статус:
DIN 50443-1-1988
Кремний для изготовления полупроводников. Определение дефектов и неоднородности кристаллов с помощью рентгенотопографииTesting of materials for use in semiconductor technology; detection of crystal defects and inhomogeneities in silicon single crystals by X-ray topography
Количество страниц: 10 Статус:
DIN 50443-2-1994
Полупроводники сложные Ш-V. Определение дефектов и неоднородности монокристаллов с помощью рентгенографииTesting of materials for semiconductor technology; recognition of defects and inhomogeneities in semiconductor single crystals by X-ray topography; III-V-semiconductor compounds
Количество страниц: 7 Статус:
DIN 50445-1992
Пластины полупроводниковые гомогенные, легированные примесью. Бесконтактный метод определения удельного электрического сопротивления с помощью вихревых токовTesting of materials for semiconductor technology; contactless determination of the electrical resistivity of semiconductor slices with the eddy current method; homogeneously doped semiconductor wafers
Количество страниц: 4 Статус:
DIN 50447-1995
Материалы для полупроводниковой технологии. Бесконтактное измерение электрического поверхностного сопротивления полупроводниковых слоев методом вихревых токовTesting of materials for semiconductor technology - Contactless determination of the electrical sheet resistance of semiconductor layers with the eddy-current method
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50448-1998
Материалы для полупроводниковой технологии. Бесконтактное измерение удельного электрического сопротивления полуизолированных полупроводниковых дисков с емкостным зондомTesting of materials for semiconductor technology - Contactless determination of the electrical resistivity of semi-insulation semiconductor slices using a capacitive probe
Количество страниц: 3 Статус:
DIN 50449-1-1997
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей методом абсорбции инфракрасного излучения. Часть 1. Углерод в арсениде галлияTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurity content in semiconductors by infrared absorption - Part 1: Carbon in gallium arsenide
Количество страниц: 6 Статус:
DIN 50449-2-1998
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей методом абсорбции инфракрасного излучения. Часть 2. Бор в арсениде галлияTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurity content in semiconductors by infrared absorption - Part 2: Boron in gallium arsenide
Количество страниц: 4 Статус:
DIN 50450-1-1987
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Определение содержания воды в водороде, кислороде, азоте, аргоне и гелие при помощи ячейки с пентаоксидом фосфораTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of water impurity in hydrogen, oxygen, nitrogen, argon and helium by using a diphosphorus pentoxide cell
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-2-1991
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Определение содержания кислорода в азоте, аргоне, гелие, неоне и водороде при помощи гальванического элементаTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of oxygen impurity in N<(Index)2>, Ar, He, Ne and H<(Index)2> by using a galvanic cell
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-3-1991
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Определение содержания метана в водороде, кислороде, азоте, аргоне и гелие при помощи пламенно-ионизационного детектораTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of methane impurity in H<(Index)2>, O<(Index)2>, N<(Index)2>, Ar and He by using a flame ionization detector (FID)
Количество страниц: 2 Статус:
найдено документов: 84545 страниц: 4228